click me!

Подложки MgAl2O4

  • Доступны имеющиеся в наличии и изготовленные на заказ подложки MaAl2O4 (или шпинели)
  • Максимальный диаметр: 2 дюйма, типичная толщина 0,5/1,0 мм.
  • Шероховатость поверхности: Ra < 0,5 нм
  • Чистая упаковка: чистая комната класса 1000 и мешки класса 100.
  • Ориентация подложек MgAl2O4: <100>, <110>, <111>
  • Области применения: выращивание эпитаксиальных тонких пленок в устройствах сегнетоэлектриков и высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), выращивание высококачественных пленок GaN, устройства для нитридов III-V, устройства на объемных акустических волнах и микроволновые устройства
Inquire for custom product  
Code Size Thickness Orientation Surface Finish Unit Price Delivery Inquiry
644-001 5x5 мм 0,5 мм <100> ССП Запросить 2 недели
644-002 5x5 мм 0,5 мм <100> ЦСП Запросить 2 недели
644-003 5x5 мм 0,5 мм <110> ССП Запросить 2 недели
644-004 5x5 мм 0,5 мм <111> ССП Запросить 2 недели
644-005 10x10 мм 0,5 мм <100> ССП Запросить 2 недели
644-006 10x10 мм 0,5 мм <100> ЦСП Запросить 2 недели
644-007 10x10 мм 0,5 мм <110> ССП Запросить 2 недели
644-008 10x10 мм 0,5 мм <111> ССП Запросить 2 недели
644-009 Φ12,7 мм 0,5 мм <100> ССП Запросить 2 недели
644-010 Φ12,7 мм 0,5 мм <100> ЦСП Запросить 2 недели
644-011 Φ25,4 мм 0,5 мм <100> ССП Запросить 2 недели
644-012 Φ25,4 мм 0,5 мм <100> ЦСП Запросить 2 недели
644-013 Φ50,8 мм 0,5 мм <100> ССП Запросить Запросить
644-014 Φ50,8 мм 0,5 мм <100> ЦСП Запросить Запросить

Монокристаллы алюмината магния (MgAl2O4 или шпинели) широко используются для объемных акустических волновых и микроволновых устройств, а также для эпитаксиальных подложек быстрых ИС. Также обнаружено, что MgAl2O4 является хорошей подложкой для устройств с нитридами III-V. Шпинель (MgAl2O4) является одним из кандидатов на роль подложки для таких GaN-ЛД. Кристаллографическая структура MgAl2O4 представляет собой шпинельный тип (Fd3m), постоянная решетки которого составляет 8,083 А. MgAl2O4 является относительно дешевым материалом подложки, который успешно применяется для выращивания высококачественных пленок GaN. MgAl2O4 расколот по плоскости (100). Полости GaN LD были получены путем простого скалывания подложек MgAl2O4 в направлении (100), что также хорошо работает для ZnO. Кристалл MgAl2O4 очень сложно вырастить из-за сложности поддержания однофазной структуры.

Компания Hangzhou Shalom EO поставляет как стандартные пластины MgAl2O4, так и пластины нестандартного типа.

Общие характеристики:

Материал Кристаллы MgAl2O4 Ориентация <100>,<110>,<111>
Ошибка ориентации ±0,5° Максимальный диаметр 20 мм
Типичная толщина 0,5 мм, 1,0 мм Допуск по толщине ±0,05 мм
Допуск по размеру ±0,1 мм Отделка поверхности SSP или DSP
Грубость Ra<0,5 нм Чистота и упаковка Чистая комната класса 1000, мешки класса 100

Физические свойства:

Кристаллическая структура Кубический: a = 8,083 Å Метод роста Чохральский
Плотность 3,64 г/см3 Точка плавления 2130℃
Твердость 8,0 (монс) Тепловое расширение 7,45 (x10-6/℃)
Фазовая скорость 6500 м/с при (100> поперечной волне) Потери при распространении 6,5 дБ/мс
Типичное направление роста <100> и <110> Цвет Бесцветный
Диэлектрическая проницаемость 8–9
Пластины MgAl2O4 Φ50,8 ммx0,5 мм <100> SSP

Пластины MgAl2O4 Φ50,8 ммx0,5 мм <100> SSP

Пластины MgAl2O4 5х5х0,5мм <111> ССП

Пластины MgAl2O4 5х5х0,5мм <111> ССП

Пластины MgAl2O4 5x5x0,5мм <100> DSP

Пластины MgAl2O4 5x5x0,5мм <100> DSP