Технические характеристики:
Материалы |
Кристаллы HGTR-КТП | Допуск размера | (Ш±0,1 мм)x(В±0,1 мм)x(Д+0,5/-0,1 мм) |
| Диапазон размеров | Диафрагма: ~ 10x10 мм; Длина: ~ 15 мм | Чистая диафрагма | центральные 90% или диаметр |
| Рассеяние кристаллов | Нет видимых путей или центров рассеяния под контролем зеленого лазера мощностью 50 мВт |
Плоскостность | менее λ/8 при 633 нм |
| Передача искажений волнового фронта | менее λ/8 при 633 нм | Фаска | ≤0,2 ммx45° |
| Чип | ≤0,1 мм | Качество поверхности | лучше, чем 10/5 S/D (MIL-PRF-13830B) |
| Параллелизм | ≤20 угловых секунд | Перпендикулярность | ≤5 угловых минут |
| Угловой допуск | ≤0.25° | Покрытие | AR/AR при 1064 нм+532 нм (R<0,2% при 1064 нм и R<0,5% при 532 нм) |
| Гарантийный срок качества | один год при правильном использовании | ||
Сопротивление серой дорожки в кристаллах HGTR KTP (KTiOPO4) значительно выше, чем в кристаллах KTP, полученных под флюсом. По сравнению с обычными кристаллами KTP, выращенными под флюсом или гидротермальным способом, кристаллы HGTR KTP выращиваются из уникальных модифицированных флюсов и термической обработки, что придает им устойчивость к повреждениям серых дорожек, что может серьезно помешать работе мощных приложений.
Hangzhou Shalom EO предлагает кристаллы KTP с высоким сопротивлением серому треку (HGTR KTP) без вредного поглощения для высокой повторяемости / высокой мощности SHG на длине волны 1064 нм или OPO источника света с накачкой 532 нм. Кристаллы оптимизированы для мощных лазерных систем, которые требуют существенно эффективного преобразования и долговечности, обеспечивая более высокую общую производительность, чем обычные кристаллы KTP, выращенные под флюсом.
Приложения:
