Модули или типы:
По вашему запросу доступны различные типы кристаллов:
Технические характеристики:
| Кристаллические материалы | Кристаллы MgO(5мол%):LiNbO3 | Размер | Индивидуальные |
| Допуск размера | +/- 0,1 мм | Допуск на длину | +/- 0,2 мм |
| Качество поверхности | 20/10 С/Д | Параллелизм | <20 угловых секунд |
| Плоскостность | < Лямбда/10 при 633 нм | Фаска | 0,1-0,3 ммx45° |
| Чипсы | <0,15 мм | Боковая поверхность | Мелкий помол |
| Допуск ориентации | < 10 угловых минут | Искажение волнового фронта | <Лямбда/4@633нм |
| Коэффициент вымирания | >200:1 | Покрытие | AR/AR@1064 нм или по индивидуальному заказу |
| Порог повреждения | >300 мВт/см^2 при 1064 нм, 10 нс, 10 Гц, импульс | Электрод на боковой поверхности | Хромо-золотой электрод (Cr+Au) |
Основные свойства:
| Кристальная структура | Тригональный, пространственная группа R3c | Параметры ячейки | a = 0.515, c = 13.863, Z = 6 |
| Температура плавления | 1255±5℃ | Кюри-Пойнт | 1140±5℃ |
| Твердость по Моосу | 5 | Плотность | 4.64 г/см3 |
| Коэффициент поглощения | ~ 0,1%/см при 1064 нм | Растворимость | нерастворим в H2O |
| Относительная диэлектрическая проницаемость | eT11/e0: 85 eT33/e0: 29.5 |
Коэффициенты теплового расширения (при 25 ℃) | ||a, 2.0 x 10-6 /K ||c, 2.2 x 10-6 /K |
| Теплопроводность | 38 Вт/м/К при 25 ℃ | ||
Линейные оптические свойства:
| Диапазон прозрачности | 420-5200 нм | Показатели преломления | ne=2.146, no = 2.220 @ 1300нм ne= 2.156, no = 2.232 @ 1064нм ne= 2.203, no = 2.286 @ 632.8нм |
| Оптическая однородность | ~ 5 x 10-5 /см | Уравнения Селлмейера (λ в мм) |
n2o (λ) = 4.9048+0.11768/(l2 - 0.04750) - 0.027169l2 n2e (λ) = 4.5820+0.099169/(l2 - 0.04443) - 0.021950l2 |
Нелинейные оптические свойства:
| Коэффициенты НЛО | d33 = 34.4 пм/В d31 = d15 = 5.95 пм/В d22 = 3.07 пм/В |
Коэффициенты эффективности NLO | deff =5,7 пм/В или ~14,6 x d36 (KDP) для удвоения частоты 1300нм deff =5,3 пм/В или ~13,6 x d36(KDP) для ОПО с накачкой на длине волны 1064 нм deff = 17,6 пм/В или ~45 x d36(KDP) для квазисинхронной структуры |
| Электрооптические коэффициенты | gT33 = 32 pm/V, gS33 = 31 pm/V gT31 = 10 pm/V, gS31=8.6 pm/V gT22 = 6.8 pm/V, gS22= 3.4 pm/V |
Полуволновое напряжение, постоянный ток Электрическое поле||z, свет ^z Электрическое поле||x или y, свет||z |
3.03 KV 4.02 KV |
Кристаллы MgO:LiNbO3 стали одним из наиболее широко используемых материалов для переключателей добротности и фазовых модуляторов из-за их высоких коэффициентов ЭО. MgO:LiNbO3 имеет более высокий порог повреждения, чем нелегирующие кристаллы LiNbO3. При приложении электрического поля поперек направления распространения света ячейки Поккельса на основе LiNbO3 можно настроить для работы при более низком напряжении, чем ячейки Поккельса на основе KD*P. LiNbO3 также может быть хорошим выбором для инфракрасных волн длиной до 3,0 мкм.
Hangzhou Shalom EO предлагает высококачественные полированные, AR-покрытия и кристаллы MgO:LiNbO3 с электродом Au-Cr, используемые в ячейках Поккеля, с легированием MgO 0,6%, 1,0% и 5%. Также можно приобрести ряд продуктов из литий-ниобата, включая пластины SAW LiNbO3, нелинейные LiNbO3 и MgO:LiNbO3, кристаллы LiNbO3 для ЭО-модуляции, пластины LiNbO3 оптического класса и кристаллы MgO:PPLN, элементы Поккельса LiNbO3.
