ГСН:Pr Сцинтиллятор:
Основные свойства:
Плотность(г/см3) | 7,34 | Атомный коэффициент | 60 |
Молекулярная формула | Gd2O2S | относительная молекулярная | 378 |
Гигроскопичность | Нет | Показатель преломления | 2,2 |
Температура плавления | 2070°C | Кристаллическая структура | Гексагональная кристаллическая система |
Зефф | 61.1 |
Характеристики:
Внешний вид Точный размер | <0.,03mm@42x48mm | Плоскостность | <0,03@42x48 мм |
Постоянство размера пикселей | ±0,01 мм | Разница в толщине отражения от края | <±0,05 |
Рентген Фотоэлектрические свойства:
Световой выход | 27000 ф/МэВ | Пиковая длина волны | 512 нм |
Время затухания | 3 мкс | Послесвечение | <0,1%@3мс, <0,01%@100мс |
Колебание светоотдачи разностного пикселя | ≦5% | Колебание светоотдачи разностных матриц | ≦10% |
Перекрестные помехи (Cap0.085) | ≦8% | Радиационное повреждение керамической матрицы ГСН | 20% от 1 Мрад |
ГОС:Tb Сцинтиллятор:
Сравнение свойств с другими материалами
Материал | CsI(Tl) | ГСН:Tb | ГСН:Пр |
Пиковая длина волны | 560 | 550 | 510 |
Морфология | Кубический | Поликристаллическая керамика | Поликристаллическая керамика |
Прозрачность | Прозрачный | Прозрачный | Прозрачный |
Светоотдача/МэВ | 59000 | 46500 | 27000 |
Время затухания/нс | 1 | 600 | 3 |
Послесвечение/@3мс | ≤1% | ≤0,1% | ≤0,05% |
Атомный коэффициент | 64 | 60 | 60 |
Плотность/г-см3 | 4,51 | 7,34 | 7,34 |
Гигроскопичность | Незначительно | Нет | Нет |
Повреждение от облучения | / | 12%(1Мрад) | 6%(1Мрад) |
GOS Ceramics, или керамика из оксисульфида гадолиния, в основном состоит из химического соединения оксисульфида гадолиния (Gd2O2S), GOS Ceramics принадлежит к гексагональной структуре системы (пространственная группа: P3−ml; параметры решетки: a = b = 0,3851 нм и c = 0,6664). нм) с тригональной симметрией.
Оксисульфид гадолиния (ГОС) является отличным сцинтилляционным материалом благодаря своей высокой плотности (7,43 г/см3) и адекватному атомному номеру Gd. Эти характеристики приводят к увеличению потенциальной возможности взаимодействия рентгеновского излучения. Твердотельный Gd2O2S (GOS) также демонстрирует многообещающие химические и физические характеристики, такие как высокая температура плавления (2070 ◦C), высокий коэффициент ослабления рентгеновского излучения (~ 52 см-1 при 70 кэВ), широкая запрещенная зона (4,6–4,8 эВ), хорошая химическая стойкость, низкая энергия фононов, низкая симметрия кристалла и низкая токсичность, что делает его перспективным материалом-хозяином для люминесцентных и сцинтилляционных приложений.
Активированный тербием оксисульфид гадолиния (GOS: Tb) находит широкое применение в качестве сцинтиллятора для рентгеновской визуализации. Он излучает волны с длиной волны от 382 до 622 нм, при этом пик излучения приходится на 545 нм. GOS: Субмикролюминофоры Pr, синтезированные методом гомогенного осаждения, перспективны в качестве нового материала с зеленым излучением, который будет применяться в области цифровых рентгеновских изображений высокого разрешения. Это также отличный зеленый люминофор в проекционных ЭЛТ.
GOS:Pr (оксисульфид гадолиния, активированный празеодимом) проявляет уникальные люминесцентные свойства. GOS-керамика, активированная Pr3+, является эффективным керамическим сцинтилляционным материалом для высококачественных изображений благодаря своей высокой эффективности преобразования рентгеновского излучения, высокой тормозной способности падающего рентгеновского излучения, короткому сроку службы, быстрому послесвечению, высокой химической стабильности и хорошей излучение, соответствующее высокой чувствительности кремниевых фотодиодов.
Ханчжоу Шалом ЭО предлагает сцинтилляционные материалы ГОС: Pr и ГОС: Tb. Наши ГСН с примесью Pr и ГСН с примесью Tb отличаются высокой светоотдачей, низким послесвечением и экологичностью. Мы разработали передовую производственную линию с необходимыми возможностями. Кроме того, мы также предлагаем сцинтилляционные экраны ГСН.
Рис. 1. Схема, показывающая структуру сцинтилляционного экрана ГСН
Введение в технологию изготовления сцинтилляционного экрана ГСН
1. Методом соосаждения получить смешанный порошок Gd2O3 и Tb2O3;
2. Высокотемпературное сульфуризирующее спекание образует зерна GdSO;
3. Добавьте клей, спрессуйте материал на кусочки, скрепите кусочки вместе с ПЭТ-подложкой;
4. Наклеить защитный слой на светоиспускающую поверхность;
5. Gd2OS2:Tb, пик эмиссии 550 нм.
График 1. График параметров толщины сцинтилляционного слоя ГСН