Технические характеристики:
| Размерный допуск | Ш(+/-0,1) x В(+/-0,1) x Д(+0,5/-0,1) мм |
| Параллелизм | ≤5″ |
| Качество поверхности | 20/10 С/Д |
| Плоскостность | λ/10 при 633 нм |
| Искажение волнового фронта пропускания | λ/6@633 нм |
| Коэффициент вымирания | >20 дБ |
| Покрытие | AR@1064 нм (R<0,2%) или по индивидуальному заказу |
| Порог урона | 600 МВт/см² 10 нс 10 Гц при 1064 нм |
Свойства материала:
| Кристальная структура | орторомбический |
| Параметры ячейки | a = 12.96 Å; b =10.56 Å; c =6.49 Å |
| Твердость по шкале Мооса | 5 |
| Плотность, г/см3 | 3.6 |
| Температура плавления: | ~ 1000˚C |
| Температура ферроэлектрического перехода. | ~ 810°C |
| Цвет | Бесцветный |
| Коэффициенты теплового расширения (/К) | αx=1.01x10-5, αy =1.37x10-5, αz =-4.17x10-6 |
| Диэлектрическая постоянная | Ээфф= 13,0 |
| Термооптические коэффициенты (dλ/dT) | -0,029 нм/°С |
| Электрооптические константы | Y-срез: r51=38,5 пм/В X-срез: r33=35 пм/В, r23=12,5 пм/В, r13=10,6 пм/В |
| Нелинейные коэффициенты: | d15 = 2,0 пм/В; d24 = 3,6 пм/В; d31= 2,0 пм/В d32 = 3,6 пм/В; d33 = 8,3 пм/В |
| Электрическое сопротивление | около 1011-1012Ом·см |
| Гигроскопический | нет |
| Статическое полуволновое напряжение на длине волны 1064 нм | 4x4x20 мм: 1600 В 6x6x20 мм: 2400 В |
| Диапазон передачи: | 350~4500 нм |
| Уравнения Селлмейера (λ в мкм) | nx2=2.15559 + 0.93307[1-(0.20994/λ)2] - 0.01452λ2 ny2=2.38494 + 0.73603[1-(0.23891/λ)2] - 0.01583 λ2 nz2=2.27723 + 1.11030[1-(0.23454/λ)2] - 0.01995λ2 |
Модули или типы:
| Тип | Размер монокристалла (мм) | Длина держателя (мм) | Полуволновое напряжение (В) |
| QR2205A | 2X2X5 | 12 | 1600V |
| QR3305A | 3X3X5 | 14 | 2400V |
| QR4405A | 4X4X5 | 14 | 3200V |
| QR4410A | 4X4X10 | 25 | 1600V |
| QR6605A | 6X6X5 | 14 | 4800V |
| QR6610A | 6X6X10 | 25 | 2400V |
| QR8805A | 8X8X5 | 14 | 6400V |
| QR8810A | 8X8X10 | 25 | 3200V |
| QR1005A | 10X10X5 | 14 | 8000V |
RTP (титанилфосфат рубидия – RbTiOPO4) представляет собой изоморф кристалла KTP, который используется в нелинейных и электрооптических приложениях. Кристаллы RTP являются отличной альтернативой ЭО-модуляции для мощных лазеров благодаря сочетанию их высоких порогов разрушения с большими нелинейными оптическими и электрооптическими коэффициентами. Преимущество кристалла также состоит в том, что он не вызывает пьезоэлектрического звона и не подвержен влиянию влаги. Кроме того, для работы требуется низкое полуволновое напряжение.
Hangzhou Shalom EO предлагает стандартные и специальные Q-переключатели RTP для генерации импульсного лазерного излучения с высокой пиковой мощностью. Наш переключатель RTP Q демонстрирует превосходные возможности ЭО-модуляции с высокой частотой повторения, включая лазерную локацию, лазерный радар, лазеры для медицинского лечения и лазеры для промышленного производства, лазерную модуляцию мощности/фазы, устройство выбора импульсов и т. д. с высоким коэффициентом затухания, превышающим 20 дБ и высокий порог повреждения 600 МВт/см2 10 нс 10 Гц при 1064 нм. На протяжении многих лет мы совершенствовали и совершенствовали технологию изготовления кристаллов RTP для достижения воспроизводимо высокого качества. Мы можем предложить RTP Crystal Q-Switch в двух версиях: согласованными парами или в виде одного кристалла.
Стандартный Q-переключатель RTP доступен в размерах от 2x2x5 мм до 10x10x5 мм, а другие размеры и характеристики доступны по запросу. Что касается покрытия, мы предоставляем стандартное антибликовое покрытие с длиной волны 1064 нм (R<0,2%) или другие покрытия, изготовленные по индивидуальному заказу. Кроме того, мы также предлагаем кристаллы RTP, которые подходят для широкого спектра нелинейных оптических приложений.
